德國(guó)FESTO費(fèi)斯托插座接頭 MSSD-EB

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場(chǎng)效應(yīng)管為什么需要從9A變成5A性能更可靠，場(chǎng)效應(yīng)管的損耗通常來(lái)自導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩種，但在高頻小電流條件下以開(kāi)關(guān)損耗為主，由于9A的場(chǎng)效應(yīng)管在工藝上決定了其柵極電容較大，需要較強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力，在驅(qū)動(dòng)能力不足的情況下導(dǎo)致其開(kāi)關(guān)損耗急劇上升，特別在高溫情況下由于熱耗散不足，導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度超標(biāo)引發(fā)失效。如果在滿足設(shè)計(jì)裕量的條件下?lián)Q成額定電流稍小的場(chǎng)管以后，由于兩種場(chǎng)管在導(dǎo)通內(nèi)阻上并不會(huì)差距太大，且導(dǎo)通損耗在高頻條件下相比開(kāi)關(guān)損耗來(lái)說(shuō)幾乎可以忽略不計(jì)，這樣一來(lái)5A的場(chǎng)管驅(qū)動(dòng)起來(lái)就會(huì)變得容易很多，開(kāi)關(guān)損耗降下去了，使用5A場(chǎng)管在同樣的溫度環(huán)境下結(jié)點(diǎn)溫度降低在可控范圍，自然就不會(huì)再出現(xiàn)熱耗散引起的失效了，當(dāng)然遇到這種情況增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力也是一個(gè)很好的辦法。
時(shí)序和布局約束是實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵因素。本文是介紹其使用方法的入門(mén)讀物。完成RTL設(shè)計(jì)只是FPGA設(shè)計(jì)量產(chǎn)準(zhǔn)備工作中的一部分。接下來(lái)的挑戰(zhàn)是確保設(shè)計(jì)滿足芯片內(nèi)的時(shí)序和性能要求。為此，您經(jīng)常需要定義時(shí)序和布局約束。我們了解一下在基于賽靈思FPGA和SoC設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)如何創(chuàng)建和使用這兩種約束。時(shí)序約束最基本的時(shí)序約束定義了系統(tǒng)時(shí)鐘的工作頻率。然而，更高級(jí)的約束能建立時(shí)鐘路徑之間的關(guān)系。




模擬傳感器輸出的一般都是小信號(hào)，都存在小信號(hào)放大、處理、以及抗干擾問(wèn)題，也就是將傳感器的微弱信號(hào)地放大到所需要的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)(如1VDC～5VDC或4mADC～20mADC)，并達(dá)到所需要的技術(shù)指標(biāo)。這就要求設(shè)計(jì)制作者必須注意到模擬傳感器電路圖上未表示出來(lái)的某些問(wèn)題，即抗干擾問(wèn)題。只有搞清楚模擬傳感器的干擾源以及干擾作用方式，設(shè)計(jì)出干擾的電路或干擾的措施，才能達(dá)到應(yīng)用模擬傳感器的狀態(tài)。