強元芯電子（廣東）有限公司主營：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復二極管

編輯：LX

ASEMI MCU 是以1T 8051 為核心的高性能8 位單片機，可運行至20Mhz,具有4K/8K/16K字節(jié)內建Flash 程序存儲器、256+1K 字節(jié)的SRAM、256 字節(jié)的EEPROM、4K ROM（ISP 應用）等，以及GPIOs、UART、SPI、I2C、定時器、ADC、觸控按鍵（T.K.）、溫度傳感器（T.S.）、DAC、運算放大器（OPA）、模擬比較器（COMP.）、PWM、PLL、看門狗、低壓復位和欠壓檢測等功能。

關鍵特性：車規(guī)級（-40°-125°C ）、低待機、強抗干擾、強保密（IC 卡級）。

主要應用：智能家居、小家電、智能照明、電機驅動、電動工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等。

PL3332

PL3332副邊導通時，電流首先流過功率 MOS 的體二極管，當芯片檢測到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時，芯片經過時間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3332關鍵特性：車規(guī)級（-40°-125°C ）、低待機、強抗干擾、強保密（IC 卡級）主要應用：智能家居、小家電、智能照明、電機驅動、電動工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等

PL3115B

PL3115B的主要特性：

內置高集成度的功率MOSFET

+/-5%恒壓調節(jié)

 全電壓范圍內精準的恒流調節(jié)

去除光耦和次級恒流恒壓控制電路

內置高精度恒流調節(jié)的線電壓補償

內置變壓器電感補償

可編程的輸出線補償

可提高效率的自適應多模式PWM/PFM控制

低啟動電流

限流保護

內置前沿消隱

過壓保護

良好的動態(tài)響應

欠壓保護