上海實(shí)貝儀器設(shè)備廠
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上海實(shí)貝儀器設(shè)備廠
主營產(chǎn)品: 鼓風(fēng)干燥箱, 真空干燥箱, 高溫烘箱, 高低溫試驗(yàn)箱, 恒溫恒濕箱, 恒溫培養(yǎng)箱, 生化培養(yǎng)箱, 二氧化碳培養(yǎng)箱, 隔水式培養(yǎng)箱, 干燥培養(yǎng)兩用箱, 高低溫濕熱試驗(yàn)箱, 交變濕熱試驗(yàn)箱, 老化試驗(yàn)箱, 恒溫恒濕試驗(yàn)箱, 恒溫水浴箱
供應(yīng)PVD-090-HMDS真空烘箱-PLC觸摸屏程序HMDS基片預(yù)處理烤箱
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¥125000.00
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供應(yīng)PVD-090-HMDS真空烘箱 PLC觸摸屏程序HMDS基片預(yù)處理烤箱
HMDS預(yù)處理真空烘箱(HMDS真空鍍膜機(jī))
一、HMDS 預(yù)處理系統(tǒng)的必要性:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。
二、產(chǎn)品特點(diǎn):
1)設(shè)備外殼采用SUS304不銹鋼材質(zhì)制作,內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成;采用C型不銹鋼加熱管,均勻分布在內(nèi)膽外壁,內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置;采用鋼化、防彈雙層玻璃觀察窗,便于觀察工作室內(nèi)物品實(shí)驗(yàn)情況。
2)箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內(nèi)保持高真空度。
3)溫度采用微電腦PID控制,系統(tǒng)具有自動(dòng)控溫,定時(shí),超溫報(bào)警等,LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩(wěn)定可靠.
4)智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時(shí)間。
5)HMDS氣體密閉式自動(dòng)吸取添加設(shè)計(jì),使真空箱密封性能極好,確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6)無發(fā)塵材料,適用百級(jí)光刻間凈化環(huán)境使用。
三、產(chǎn)品型號(hào)及技術(shù)參數(shù):
型號(hào):PVD-090-HMDS
容積:90L
控溫范圍:R.T.+10~250℃
溫度分辨率:0.1℃
控溫精度:±0.5℃
隔板數(shù)量:2pcs
真空度:<133Pa(真空度范圍100~100000pa)
真空泵:DM4(外置連接)
電源:AC220/50HZ
額定功率:3.0KW
內(nèi)膽尺寸mm:450x450x450 (W*D*H)
外形尺寸mm:650x640x910 (W*D*H)
木箱包裝mm: 840x750x1100(W*D*H)
連接管:316不銹鋼波紋管,將真空泵與真空箱完全密封無縫連接
四、HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的原理:
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)通過對(duì)烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。
五、HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的一般工作流程:
首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_真空泵抽真空,待腔內(nèi)真空度達(dá)到某一高真空度后,開始充入氮?dú)?,充到某低真空度后,再次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^程,到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后,開始保持一段時(shí)間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后,停止充入HMDS藥液,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時(shí)間后,再次開始抽真空。充入氮?dú)?,完成整個(gè)作業(yè)過程。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),在硅片表面生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。
六、尾氣排放:
多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時(shí)需做專門處理。
七、產(chǎn)品操作控制系統(tǒng)平臺(tái)配置:
1.采用DM4直聯(lián)旋片式真空泵
2.采用AISET溫控器控制溫度,日本三菱可編程觸摸屏操作模塊.
3.固態(tài)繼電器
其它選配:
1)加急停裝置(標(biāo)配已含)
2)波紋管2米或3米(標(biāo)配含1米)
3)富士溫控儀表(溫度與PLC聯(lián)動(dòng))
4)三色燈
5)增加HMDS液體瓶
6)下箱柜子(304不銹鋼)
7)壓力記錄儀(帶曲線)
8)溫度記錄儀(帶曲線)
9)TEMI880可程式溫度控制器(溫度曲線同步顯示),通訊接口:RS232/RS485,可連接打印機(jī)打印溫濕度曲線監(jiān)控?cái)?shù)據(jù),帶USB選配TEMI880-U,(溫度誤差±0.2℃)。(溫度與PLC聯(lián)動(dòng))
備注:選配壓力記錄儀、溫度記錄儀時(shí),因工藝需要改變設(shè)備整個(gè)外箱結(jié)構(gòu),請參考實(shí)物圖。外殼采用SS41粉末靜電噴涂,內(nèi)膽采用316L不銹鋼,外箱尺寸為(W*D*H)mm:980x655x1600(含下箱柜高700),下箱柜空置。