手機快充芯片PL3331teach key 物聯(lián)網(wǎng)芯片PL3331AC-DC ASEMI
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強元芯電子(廣東)有限公司

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生產(chǎn)加工

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廣東省深圳市

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
品牌 ASEMI
批號 最新批次
型號 PL1167
型號 PL116A
型號 PL3331
型號 PL3332
型號 PL3394A
型號 PL3369
型號 PL3394AE
型號 PL3115B
產(chǎn)品編號 9304834
商品介紹
強元芯電子(廣東)有限公司主營:整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管

PL3332

編輯:LX

PL3332副邊導(dǎo)通時,電流首先流過功率 MOS 的體二極管,當芯片檢測到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時,芯片經(jīng)過時間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。








PL3332關(guān)鍵特性:車規(guī)級(-40°-125°C )、低待機、強抗干擾、強保密(IC 卡級)主要應(yīng)用:智能家居、小家電、智能照明、電機驅(qū)動、電動工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等





PL3332 可兼容支持斷續(xù)工作模式、連續(xù)工作模式或準諧振工作模式的反激式轉(zhuǎn)換器。



PL3332 內(nèi)部集成 VDD 檢測電路,系統(tǒng)上電完成前,功率管一直處于斷開狀態(tài),副邊電流流過功率 MOS的體二極管,直到 VDD 端電壓超過芯片的啟動閾值電壓時,芯片開始正常工作。






內(nèi)置13mΩ(@Vgs=10V,Id=6A)40V功率開關(guān)管。兼容DCM或QR反激開關(guān)。 自檢測開通關(guān)斷。簡化外圍器件。




PL3369

PL3369B 內(nèi)部集成 VDD 檢測電路,系統(tǒng)上電后,當 VDD 端電壓超過芯片的閾值電壓時,芯片開始工作并輸出 PWM 信號,進而驅(qū)動功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過程中抖動對芯片的影響,內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。




PL3369B 具有低的啟動電流,因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低,再加上特有的復(fù)合模式控制,從而提高了系統(tǒng)的效率,特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。



聯(lián)系方式
公司名稱 強元芯電子(廣東)有限公司
聯(lián)系賣家 李絢 (QQ:800023533)
電話 莸莶莾莹莵莼莺莸莸莵莶
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地址 廣東省深圳市