深圳市瑞泰威科技有限公司主營：各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,

MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（二）

模擬電路

有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號(hào)電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。

為什么在led驅(qū)動(dòng)電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅(qū)動(dòng)電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價(jià)比、系統(tǒng)來散熱（包括電源本身和燈具）幾方面考慮，并不一定要求LED電源要用MOS管：

1、從散源熱角度考慮：LED驅(qū)動(dòng)電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體，根據(jù)多年設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，我們賽明源電源在設(shè)計(jì)30W以上電源時(shí)全部使用MOS管與控制IC分離方案。因?yàn)榘?，就現(xiàn)有技術(shù)（截止2015年）內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題，系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性；

2、從度性價(jià)比上考慮：在設(shè)計(jì)30W以下LED電源時(shí)，賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道，因?yàn)檫@種方案已經(jīng)成熟，散熱不是問題，系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS，再說內(nèi)置MOS方案EMC指標(biāo)很容易通過。

商品一體化也可能變成LED顯示器驅(qū)動(dòng)器IC的關(guān)鍵發(fā)展趨向,伴隨著LED顯示器清晰度間隔的快速降低,企業(yè)總面積上應(yīng)貼片的封裝元器件以幾何倍數(shù)提高,大大增加摸組驅(qū)動(dòng)器面的電子器件相對(duì)密度。

這般擁堵電子器件的排序,非常容易導(dǎo)致電焊焊接欠佳等難題,也減少了摸組的可信性。驅(qū)動(dòng)器IC越來越少的使用量,PCB更大的走線總面積,來源于運(yùn)用端要求讓驅(qū)動(dòng)器IC務(wù)必踏入了高集成化的關(guān)鍵技術(shù)。