氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的，若無許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。
2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風干燥處

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造精確片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

應用反應射頻磁控技術(shù),在氧化鋁陶瓷樣片上制備了方阻穩(wěn)定性好的Ta N薄膜,研究了氮分壓(N2/(N2+Ar))、沉積溫度、沉積時間對Ta N膜層結(jié)構(gòu)和電性能的影響,通過X射線衍射、四探針方阻儀器測試了薄膜的微結(jié)構(gòu)和方阻值

在石英玻璃上通過改變基底溫度生長了系列面心立方結(jié)構(gòu)的δ-TaNx多晶薄膜,X射線衍射及掃描電鏡形貌結(jié)果顯示,薄膜的平均晶粒尺寸隨基底溫度的升高逐漸增大。電輸運測量結(jié)果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表現(xiàn)出類似超導體-絕緣體顆粒膜的電輸運性質(zhì);隨著溫度的升高,薄膜在10-30 K表現(xiàn)出類似金屬-絕緣體顆粒膜的性質(zhì);在70 K以上,熱漲落誘導的遂穿(FIT)導電機制主導著電阻率的溫度行為。因此,多晶δ-TaNx薄膜的類顆粒膜屬性使其具有較高的電阻率和負的電阻溫度系數(shù)