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SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿(mǎn)足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開(kāi)關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過(guò)1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。

整流橋MB10M它的電性參數(shù)是多少呢？有沒(méi)有詳解一點(diǎn)的介紹？強(qiáng)元芯ASEMI是一家專(zhuān)注整流橋行業(yè)的電源領(lǐng)域?qū)＜?，?duì)每一款整流橋型號(hào)都了如指掌，下面給大家從兩個(gè)方面詳解介紹一下MB10M這款型

整流橋MB10M電性參數(shù)介紹

  整流橋MB10M，它的封裝和我們上一節(jié)介紹的MB4M的封裝一樣，都是迷你插件整流橋堆。電性參數(shù)沒(méi)有太大的區(qū)別。MB10M采用GPP芯片材質(zhì)，里面有4顆芯片組成，芯片尺寸都是46MIL。它的電性參數(shù)是：正向電流（Io）為0.5A，反向耐壓為1000V，正向電壓（VF）為1.0V，它的浪涌電流Ifsm為30A，漏電流（Ir）為5uA、工作溫度在-40°~+150℃，恢復(fù)時(shí)間（Trr）達(dá)到500ns，其中有4條引線(xiàn)。

電橋類(lèi)型單相 峰值平均正向電流800mA峰值反向重復(fù)電壓200V安裝類(lèi)型表面貼裝封裝類(lèi)型MiniDIP SMD引腳數(shù)目4二極管技術(shù)硅結(jié)型配置單峰值非重復(fù)正向浪涌電流30A工作溫度+150 °C工作溫度-55 °C峰值正向電壓1V峰值反向電流500μA長(zhǎng)度4.9mm尺寸4.9 x 4 x 2.7mm高度2.7mm寬度4mm