產(chǎn)品類(lèi)型 整流管
是否跨境貨源 否
型號(hào) DP
品牌 德普微
Operating Ambient Temperature -40 ~85°C
產(chǎn)品編號(hào) 10496142
VDD Supply Voltage 11~ 27 V
Min/Max Storage Temperature -55 to 150°C
Lead Temperature 260 °C
Drain Voltage -0.3 to 650V
商品介紹
深圳市騰華泰電子有限公司主營(yíng):DK112,DK1203,DK124
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/715/804/8c5688d2-22d1-4501-8a42-35d5c42685e4.jpg)
這三者看上去都是場(chǎng)效應(yīng)管,其實(shí)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、V型槽溝道場(chǎng)效應(yīng)管是單極(Unipolar)結(jié)構(gòu)的,是和雙極(Bipolar)是對(duì)應(yīng)的,所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管(UnipolarJunctionTransistor)其中J型場(chǎng)效應(yīng)管是非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管,MOSFET和VMOS都是絕緣型的場(chǎng)效應(yīng)管VMOS是在MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流,高放大倍數(shù)(跨道)新型功率晶體管,區(qū)別就是使用了V型槽,使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升,但是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容,是MOS管的一種大功率改進(jìn)型產(chǎn)品,但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒(méi)有MOS所特有的耗盡型的MOS管
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/715/804/1e0d01a5-fd87-4696-a800-97f9731d4559.jpg)
芯片內(nèi)部集成了85V功率NMOS管,可以大幅降低二極管導(dǎo)通損耗,提高整機(jī)效率,取代或替換目前市場(chǎng)上等規(guī)的肖特基整流二級(jí)管。東科DK5V85R15C詳細(xì)規(guī)格資料。這套快充方案的協(xié)議芯片搭配了天鈺的FP6606C。這是一顆支持PD3.0協(xié)議和其他快充協(xié)議的協(xié)議IC,支持過(guò)電壓保護(hù)和VBUS放電功能,采用SOP8封裝。天鈺的FP6606C詳細(xì)規(guī)格資料。使用ChargerLABPOWER-ZKT001檢測(cè)充電器的輸出協(xié)議,顯示支持DCP、QC2.0、QC3.0、AFC、FCP等協(xié)議。輸出PDO顯示,該參考設(shè)計(jì)支持USBPD2.0協(xié)議,并有5V/3A]、9V/2A、12V/1.5、15V/1.2A四組是電壓。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給iPhone11ProMax充電,顯示電壓9.06V,電流1.97A,充電功率約為17.9W,開(kāi)啟USBPD快充。
![](https://img.zhaosw.com/upload/images/354/804/308b6632-61c3-46de-a00f-5d64693dd94f.jpg)
使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給三星S10+充電,顯示電壓9.09V,電流1.62A,充電功率約為14.76W,開(kāi)啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給小米9充電,顯示電壓9.08V,電流1.76A,充電功率約為16.02W,開(kāi)啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給華為P30Pro充電,顯示電壓9.1V,電流1.3A,充電功率約為11.83W,開(kāi)啟USBPD快充。此外,東科18W高集成1A1C快充參考設(shè)計(jì)同樣具有小尺寸的特點(diǎn),大小與蘋(píng)果18W快充相當(dāng),并且PCB板余量充足,客戶在設(shè)計(jì)時(shí)可以進(jìn)一步壓縮PCB板尺寸。這套18W1A1C快充參考設(shè)計(jì)背面電路設(shè)計(jì)精簡(jiǎn),這也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用,初級(jí)和次級(jí)各用一顆即可實(shí)現(xiàn)AC-DC功能。
聯(lián)系方式