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該芯片內(nèi)置650V高壓MOS，擁有超精簡的外圍特性，是一顆極具性價(jià)比的18WPD快充方案。同時(shí)結(jié)合自身在同步同步整流芯片上的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，東科基于DK218M以及自家高集成同步整流芯片迅速推出了18WPD快充參考設(shè)計(jì)，并有1A1C和單C口兩種配置，可以應(yīng)對不同客戶的需求。東科18W單C口PD快充參考設(shè)計(jì)PCB板尺寸非常小巧，僅比的直徑稍大。板子正面主要為插件元器件，初級側(cè)和次級側(cè)之間采用鏤空處理，元器件布局有序。東科18W單C口PD快充參考設(shè)計(jì)看起來比蘋果原裝18WPD快充小很多。從PCB板背面來看，初級側(cè)除了整流橋之外，僅有一顆PWM控制器DK218M，芯片外圍器阻容器件不到10顆。




三極管屬于電子元器件中的分立元件，具有電流放大的作用，也是電子電路中的核心元件。三極管（Triode）全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作N結(jié)，兩個(gè)PN兩個(gè)相距很近的P結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。三極管的命名方法一般是按照器件的電極數(shù)目（2:表示二極管;3:表示三極管）、材料和極性（A:PNP鍺;B:NPN鍺;C:PNP硅;D:NPN硅;E:化合物材料）、器件類型（G:高頻率小功率;D:低頻大功率;A:高頻大功率;K:開關(guān)管;X:低頻小功率，大于等于1W的叫大功率管，小于1W的叫小功率管，功率不是很大，封裝比較大的叫中功率管）、型號和三極管的規(guī)格（放大檔次）。比如我們用個(gè)3CA1815-Y來說，3代表三極管、C代表PNP硅、A代表高頻大功率、1815代表型號、Y代表規(guī)格（放大檔次）。




此電路的缺點(diǎn)是在0V附近晶體管都截止，會(huì)產(chǎn)生交越失真。推挽電路以及拉電流、灌電流是實(shí)際工程系統(tǒng)中非常重要的概念，通過此電路學(xué)習(xí)理解此概念非常易懂。交越失真是指正弦波的上下側(cè)沒有連接上的那部分，此失真的原因在于晶體管的基極都是連在一起的，所以基極電位是一樣的。當(dāng)輸入信號在0V附近時(shí)，基極-發(fā)射極間沒有電位差，因此沒有基極電流的流動(dòng)。也就是，此時(shí)兩個(gè)晶體管都是截止的，并沒有工作。另外，即便是基極上加上了輸入信號，對上側(cè)在基極電位比發(fā)射極電位高0.6V以前，也不會(huì)工作。