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反應(yīng)燒結(jié)法制得的Si3N4密度為1.8~2

相對(duì)分子質(zhì)量140.28?；疑?、白色或灰白色。屬高溫難溶化合物，無(wú)熔點(diǎn)，抗高溫蠕變能力強(qiáng)，不含粘結(jié)劑的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅負(fù)荷軟化點(diǎn)在1800℃以上；六方晶系。晶體呈六面體。反應(yīng)燒結(jié)法制得的Si3N4密度為1.8~2.7g/cm3，熱壓法制得Si3N4密度為3.12~3.22g/cm3。莫氏硬度9~9.5，維氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa。熔點(diǎn)1900℃（加壓下）。通常在常壓下1900℃左右分解。比熱容0.71J/(g·K)。生成熱為-751.57kJ/mol。熱導(dǎo)率為（2-155）W/(m·K)。線膨脹系數(shù)為2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于。在空氣中開(kāi)始氧化的溫度1300~1400℃。比體積電阻，20℃時(shí)為1.4×105 ·m,500℃時(shí)為4×108 ·m。彈性模量為28420~46060MPa。耐壓強(qiáng)度為490MPa（反應(yīng)燒結(jié)的）。1285℃時(shí)與二氮化二鈣反應(yīng)生成二氮硅化鈣，600℃時(shí)使過(guò)渡金屬還原，放出氮氧化物?？箯潖?qiáng)度為147MPa?？捎晒璺墼诘?dú)庵屑訜峄螓u化硅與氨反應(yīng)而制得。電阻率在10^15-10^16Ω.cm?？捎米鞲邷靥沾稍稀?/p>

氮化硅是在人工條件下合成的化合物

氮化硅是在人工條件下合成的化合物。雖早在140多年前就直接合成了氮化硅，但當(dāng)時(shí)僅僅作為一種穩(wěn)定的“難熔”的氮化物留在人們的記憶中。二次大戰(zhàn)后，科技的迅速發(fā)展，迫切需要耐高溫、高硬度、高強(qiáng)度、抗腐蝕的材料。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的努力，直至1955年氮化硅才被重視，七十年代中期才真正制得了高質(zhì)量、低成本，有廣泛重要用途的氮化硅陶瓷制品。

硅粉的粒度越細(xì),比表面積越大,則可降成溫度

硅粉的粒度越細(xì)，比表面積越大，則可降成溫度。粒度較細(xì)的硅粉與粒度較粗的硅粉相比，制品中含α- Si3N4的量。降低硅粉的粒徑，可以降低制品的顯微氣孔尺寸。適當(dāng)?shù)牧６扰浔?，可以提高制品密度?/p>

溫度對(duì)氮化速率影響很大。在970～1000℃氮化反應(yīng)開(kāi)始，在1250℃左右反應(yīng)速率加快。在高溫階段，由于是放熱反應(yīng)，若溫度很快超過(guò)硅的熔點(diǎn)（1420℃），則易出現(xiàn)流硅，嚴(yán)重的將使硅粉坯體熔融坍塌。