

深圳市新晨陽電子有限公司
主營產(chǎn)品: 其他電容器
陶瓷電容焊接-風(fēng)華高科-棕色陶瓷電容焊接
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1)旁路
旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件,它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化,降低負(fù)載需求。 就像小型可充電電池一樣,旁路電容能夠被充電,并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗,旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。
2)去耦
去耦,又稱解耦。 從電路來說, 總是可以區(qū)分為驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大, 驅(qū)動電路要把電容充電、放電, 才能完成信號的跳變,在上升沿比較陡峭的時候,電流比較大, 這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感,會產(chǎn)生反彈),這種電流相對于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲,會影響前級的正常工作,這就是所謂的“耦合”。
去耦電容就是起到一個“電池”的作用,滿足驅(qū)動電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。
將旁路電容和去耦電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實(shí)際也是去耦合的,只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等;而去耦合電容的容量一般較大,可能是10μF 或者更大,依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象,而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象,防止干擾信號返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。
3)濾波
從理論上(即假設(shè)電容為純電容)說,電容越大,阻抗越小,通過的頻率也越高。但實(shí)際上超過1μF 的電容大多為電解電容,有很大的電感成份,所以頻率高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電容,這時大電容通低頻,小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低,通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容(1000μF)濾低頻,小電容(20pF)濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會突變,由此可知,信號頻率越高則衰減越大,可很形象的說電容像個水塘,不會因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動轉(zhuǎn)化為電流的變化,頻率越高,峰值電流就越大,從而緩沖了電壓。濾波就是充電,放電的過程。
4)儲能
儲能型電容器通過整流器收集電荷,并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40~450VDC、電容值在220~150 000μF 之間的鋁電解電容器(如EPCOS 公司的B43504 或B43505)是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求,器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式,對于功率級超過10KW 的電源,通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。
貼片電容擊穿和漏電性質(zhì)是相同的,漏電嚴(yán)重時就等同于擊穿。軸向電容所以兩種故障對電容電路的影響也是相似的。
貼片電容擊穿后對直流形成開路,造成直流電路工作不正常。換句話說,當(dāng)電容擊穿時通過測量電路中有關(guān)測試點(diǎn)的直流電壓大小,可以發(fā)現(xiàn)電容是否擊穿或漏電。電容擊穿后只對該電容局部電路產(chǎn)生影響。
因?yàn)樵谄渌娐分腥杂须娙萑詫χ绷饔懈艚^作用。根據(jù)這一原理可以縮短檢修范圍。
貼片電容短路與漏電發(fā)生在不同電路影響也不同,比如耦合電路短路后直流電流將直接流往下一級,這種不該有的電流就是噪聲,而濾波電容擊穿時則可能會熔斷保險絲。
安裝時貼片鋁電解電容經(jīng)過正錯的安裝及加載之后,不要在試圖用于其他線路板或其他用途
電容器是個復(fù)雜的東西,因?yàn)樗怯珊芏嗷A(chǔ)元件組成的,由于原材料及制造工藝的原因,很多小廠生產(chǎn)的電容器介質(zhì)中很容易存在雜質(zhì),機(jī)械損傷,針孔,清潔度低等問題。
電容器的早期損壞多由于制造原因,高壓電容器:通常由多個元件申并聯(lián)構(gòu)成,每個元件由鋁箔作電極,將固體介質(zhì)放于電極之間.經(jīng)卷繞而制成。
元件的極板面積很大,由于原材料及制造工藝等原因。
介質(zhì)中可能存在雜質(zhì),機(jī)械損傷.針孔、清潔度低等問題,這就成了電容器固有的隱患。
在系統(tǒng)中受各種原因引起的過電壓,過電流及周圍高、低溫度的作用,這些薄弱點(diǎn)便引起介質(zhì)擊穿。擊穿時通常會產(chǎn)生火花,進(jìn)一步的擴(kuò)大范圍。
從而形成多層短路甚至整個元件短路。與擊穿元件串聯(lián)的元件上的電壓將會隨之升高,與其并聯(lián)的元件組會被短接,從而使剩余的串聯(lián)組上的電壓隨之升高。
通過每個元件的電流也隨之增大.將導(dǎo)致各個元件的迅速老化,增加發(fā)熱量.同時在較高電壓作用下也將產(chǎn)生極板邊緣的局部放電。
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