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深圳市新晨陽電子有限公司
主營產品: 其他電容器
鉭電容貼片獨石電容耐壓-固態(tài)電容貼片獨石電容-風華高科
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區(qū)別:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。
NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。
瓷片電容電磁兼容的問題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下,個別問題(電壓跌落與瞬時中斷等)除外。
高頻思維,總而言之,就是器件的特性、電路的特性,在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的。
如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析,則會走入設計的誤區(qū)。比如:
瓷片電容在中低頻或直流情況下,就是一個儲能組件,只表現為一個電容的特性,但在高頻情況下,它就不僅僅是個電容了。
它有一個理想電容的特性,有漏電流(在高頻等效電路上表現為R),有引線電感,還在導致電壓脈沖波動情況下發(fā)熱的ESR。
瓷片電容能幫我們設計師得出很多有益的設計思路。按照常規(guī)思路,1/2πfc是電容的容抗,應該是頻率越高,容抗越小,濾波效果越好。
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薄膜電容有很多優(yōu)良的特性
薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性,因此是一種性能好的電容器。
它的主要等性如下:無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異,而且介質損失很小。
基于以上的優(yōu)點,所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。
尤其是在信號交連的部分,必須使用頻率特性良好,介質損失極低的電容器,方能確保信號在傳送時,不致有太大的失真情形發(fā)生。
其結構和紙介電容相同,穩(wěn)定性比較好,適宜做旁路電容。
聚苯乙烯薄膜電容,介質損耗小,絕緣電阻高,但是溫度系數大,可用于高頻電路。
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