型號 BSS84
品牌 NXP(恩智浦)
封裝 SOT-23-3
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
數(shù)量 300000
商品介紹

BSS84 分立半導(dǎo)體 晶體管 MOSFET (百分百原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢供應(yīng)) BSS84 BSS84 BSS84
制造商: Nexperia
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 50 V
Id-連續(xù)漏極電流: 130 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 1 mm
長度: 3 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
晶體管類型: 1 P-Channel Vertical DMOS Transistor
寬度: 1.4 mm
商標: Nexperia
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: BSS84 T/R
單位重量: 8 mg
制造商: Nexperia
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 50 V
Id-連續(xù)漏極電流: 130 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 1 mm
長度: 3 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
晶體管類型: 1 P-Channel Vertical DMOS Transistor
寬度: 1.4 mm
商標: Nexperia
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: BSS84 T/R
單位重量: 8 mg
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