LMG1210RVRR介紹：

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 門驅(qū)動器  

產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers

類型: High Side, Low Side

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: WQFN-19

激勵器數(shù)量: 2 Driver

輸出端數(shù)量: 2 Output

輸出電流: 3 A

電源電壓-最小: 4.75 V

電源電壓-最大: 18 V

工作電源電流: 380 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: LMG1210

工作溫度范圍: - 40 C to + 125 C  

輸出電壓: 5 V  

邏輯類型: TTL  

空閑時間—最大值: 18 ns  

最大關(guān)閉延遲時間: 18 ns  

最大開啟延遲時間: 18 ns  

濕度敏感性: Yes  

產(chǎn)品類型: Gate Drivers  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 400 mOhms  

工廠包裝數(shù)量: 3000

新聞資料：

1說明：

1•最高50兆赫操作

•10 ns典型傳播延遲

•3.4-ns高側(cè)到低側(cè)匹配

•最小脈沖寬度為4ns

•兩個控制輸入選項

–具有可調(diào)死區(qū)時間的單脈沖寬度調(diào)制輸入

–獨(dú)立輸入模式

•1.5-A峰值電源和3-A峰值陷波電流

•外部自舉二極管靈活

•適用于電壓軌的內(nèi)部LDO

•高300-V/ns cmti

•HO至LO電容小于1 pF

•uvlo和超溫保護(hù)

•低電感WQFN封裝

2應(yīng)用

•高速DC-DC轉(zhuǎn)換器

•射頻包絡(luò)跟蹤

•D級音頻放大器

•E類無線充電

•高精度電機(jī)控制

3說明：

     LMG1210是一個200-V半橋MOSFET和氮化鎵場效應(yīng)晶體管為超高頻、高效率設(shè)計的驅(qū)動器具有可調(diào)功能的應(yīng)用程序死區(qū)能力，非常小的傳播延遲，和3.4-ns高端低端匹配以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部分還具有內(nèi)部確保柵極驅(qū)動電壓為5-V的LDO不考慮電源電壓。在各種應(yīng)用程序，LMG1210允許設(shè)計者選擇最佳的自舉二極管充電高壓側(cè)自舉電容器。內(nèi)部開關(guān)轉(zhuǎn)動當(dāng)?shù)蛪簜?cè)關(guān)閉時，引導(dǎo)二極管關(guān)閉，有效防止高端引導(dǎo)過充和最小化反向恢復(fù)充電。附加寄生電容氮化鎵場效應(yīng)晶體管被最小化到小于1 pF以減少額外的開關(guān)損耗。

     LMG1210具有兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式（IIM）和脈寬調(diào)制模式。在IIM中

每個輸出都由專用輸入。在脈寬調(diào)制模式下，兩者互補(bǔ)輸出信號由單輸入，用戶可以調(diào)整死區(qū)時間每邊從0到20 ns。LMG1210在-40°C的溫度范圍內(nèi)工作至125°C，以低電感WQFN提供包裹。

產(chǎn)品圖片：

產(chǎn)品尺寸：