二極管的特性舉例

   1、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時的V-I特性

對應(yīng)于第①段的正向特性，此時加于二極管的正向電壓只有零點幾伏，但相對來說流過管子的電流卻很大，因此管子呈現(xiàn)的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向電壓較小，外電場還不足以克服PN結(jié)的內(nèi)電場，因而這時的正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)出一個大電阻，好像有一個門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區(qū)電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當正向電壓大于Vth時，內(nèi)電場大為削弱，電流因而迅速增長。

2、反向特性：二極管外加反向偏置電壓時的V-I特性

P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（電子）和N型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級為：硅管nA級，鍺管大mA級。

溫度升高時，由于少數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

3、反向擊穿特性：二極管擊穿時的V-I特性

當增加反向電壓時， 因在一定溫度條件下， 少數(shù)載流子數(shù)目有限，故起始一段反向電流沒有多大變化，當反向電壓增加到一定大小時，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對應(yīng)于第③段，其原因與PN結(jié)擊穿相同。

過去，硅TVS器件由于電容高，在保護低壓高速信號線路方面存在劣勢。然而，近年來的技術(shù)進步消除了這種不利因素。安森美半導(dǎo)體的新產(chǎn)品ESD9L5.0將硅器件保護的優(yōu)勢與高速應(yīng)用要求的低電容結(jié)合在一起。這個產(chǎn)品的特性就像一個簡單的齊納二極管。事實上，ESD9L5.0包含一個擊穿電壓低的齊納二極管和一對擊穿電壓高(因而電容小)的標準二極管。

瞬態(tài)抑制二極管是一種能把瞬態(tài)電壓抑制在被保護元件能承受的安全水平的高效能保護器件。瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時態(tài)的畸變，會對微電子半導(dǎo)體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬態(tài)電壓侵襲后,它的性能沒有明顯的下降，但是多次累積的侵襲會給芯片器件造成內(nèi)傷而形成隱患。瞬態(tài)抑制二極管能夠有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。 

二極管又叫半導(dǎo)體二極管、晶體二極管，是最常用的基本電子元件之一。二極管只往一個方向傳送電流，由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)構(gòu)成，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。