BFR183E6327的主要參數(shù)

型號：BFR183E6327

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:射頻(RF)雙極晶體管

 系列:BFR183

晶體管類型:Bipolar

技術(shù):Si

晶體管極性:NPN

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:12 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

配置:Single

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

集電極—基極電壓 VCBO:20 V 

直流電流增益 hFE 最大值:70 at 15 mA at 8 V

 高度:1 mm 

長度:2.9 mm 

工作頻率:8000 MHz 

類型:RF Bipolar Small Signal

 寬度:1.3 mm 

商標(biāo):Infineon Technologies 

最大直流電集電極電流:0.065 A 

Pd-功率耗散:450 mW

 產(chǎn)品類型:RF Bipolar Transistors 

工廠包裝數(shù)量:3000

 子類別:Transistors 

零件號別名:BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327XT SP000011054

 單位重量:8 mg

Mouser編號：726-BFR183E6327

制造商編號：BFR 183 E6327

制造商：Infineon Technologies

說明：射頻(RF)雙極晶體管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW

公司簡介：

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