高純金屬蒸發(fā)材料

      蒸發(fā)作為PVD技術(shù)的一種，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中的芯片背面金屬化工藝，作為專業(yè)的PVD薄膜材料供應(yīng)商，中諾新材可以提供各種規(guī)格的全系列高純金屬蒸發(fā)材料。同時(shí)，這些材料亦廣泛應(yīng)用于精密合金熔煉、高純化合物制備以及高品質(zhì)晶體制備等領(lǐng)域。

部分產(chǎn)品如下：

材料純度(%)狀態(tài)

高純鋁(Al)99.999-99.9999顆粒 粉末 絲狀 片狀  

高純銅(Cu)99.99-99.9999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鈦(Ti)99.5-99.999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鎳(Ni)99.9-99.999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉻(Cr)99.5-99.99顆粒 粉末

高純鈷(Co)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鐵(Fe)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鎂(Mg)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉿(Hf)99.95顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鋯(Zr)99.5-99.95顆粒 粉末 塊狀

高純銦(In)99.995-99.9999,顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉭(Ta)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀，片狀

高純鈮(Nb)99.95-99.99顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鉛(Pb)99.99-99.999顆粒 粉末 片狀

高純硒(Se)99.99-99.9999顆粒 粉末

高純碲(Te)99.99-99.9999顆粒 粉末

高純鍺(Ge)99.9999顆粒 粉末 片狀

高純硅(Si)99.9999顆粒 粉末 片狀

高純錫(Sn)99.99-99.999顆粒 粉末 絲狀 片狀

高純鋅(Zn)99.99-99.9999顆粒 粉末 片狀

我們可以提供的半導(dǎo)體材料領(lǐng)域5N-7N的高純及超高純材料，這些材料廣泛用于半導(dǎo)體材料，高純合金，紅外材料，太陽(yáng)能電池材料的制備。

常規(guī)產(chǎn)品明細(xì)如下：

高純銻 Sb 5N-7N 晶體顆粒

高純鉍 Bi 5N 6N 顆粒 粉末

高純鎘 Cd 5N-7N 顆粒 錠 粉末 片狀

高純銅 Cu 5N 6N 顆粒

高純銦 In 5N-7N 顆粒 錠 粉末

高純磷 P 5N 6N 塊狀

高純鉛 Pb 5N-7N 顆粒 粉末

高純硒 Se 5N-6N 顆粒 錠 粉末

高純碲 Te 5N-7N 顆粒 粉末

高純硫 S 5N 6N 粉末 塊狀

高純錫 Sn 5N 6N 顆粒 錠

高純鋅 Zn 5N 6N 顆粒 錠 棒

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準(zhǔn)確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%