IRF9Z24NPBF晶體管FET
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聯(lián)系人 胡海玲

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型號(hào) IRF9Z24NPBF
品牌 IR
封裝 TO-220-3
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 直插式
包裝方式 管裝
數(shù)量 10000
商品介紹


IRF9Z24NPBF   分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  單  (百分百原裝現(xiàn)貨  優(yōu)勢(shì)供應(yīng))

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 175 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 12.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 45 W

配置: Single

封裝: Tube

高度: 15.65 mm  

長(zhǎng)度: 10 mm  

晶體管類型: 1 P-Channel  

寬度: 4.4 mm  

商標(biāo): Infineon / IR  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.5 S  

下降時(shí)間: 37 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 55 ns  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 23 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 13 ns  

零件號(hào)別名: SP001555934  

單位重量: 6 g  



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公司名稱 深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 胡海玲 (QQ:2801615837)
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地址 廣東省深圳市