型材定制加工

定制化生產(chǎn)是中諾新材的一大特色。以先進的生產(chǎn)設(shè)備，規(guī)范的加工流程，經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員為后盾，我們可定制化生產(chǎn)加工不同純度規(guī)格尺寸的產(chǎn)品。

高純箔材片材：厚度0.01-3.00mm

高純絲材棒材：直徑0.01-10mm

坩堝蒸發(fā)耗材：鎢，鉬，鉭，石墨，氮化硼等坩堝，各尺寸蒸發(fā)線圈。蒸發(fā)舟。

單晶襯底基片：不同尺寸，電阻單晶硅片。石英襯底，金屬單晶基片

中諾新材采用高純化合物粉末為原料，通過常壓燒結(jié)法、真空熱壓法以及熱等靜壓法等工藝成型，經(jīng)過精密的機械加工工藝，制得晶粒細小、組織均勻、致密度高的高品質(zhì)陶瓷化合物靶材，被廣泛應(yīng)用于太陽能光伏、平面顯示、玻璃鍍膜等領(lǐng)域。

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

中諾新材可根據(jù)您的需求，為您定制不同化合物，不同比例的摻雜靶材。通過球磨制粉，共沉積制粉，真空熱壓燒結(jié)，常壓燒結(jié)等工藝，可保證靶材摻雜比例準確，摻雜相單一，致密度高。

部分定制靶材如下：

氧化銦錫 ITO In2O3:SnO2=90:10 wt%

氧化鋅鋁 AZO ZnO:Al2O3=98:2 wt%

銅銦硒 CIGS Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%

氧化鋅摻雜氧化鎂等

氧化銦鋅 IGZO In:Ga:Zn=2:2:1 at%

鈦鋯酸鉛 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3

鍺銻碲 GST Ge:Sb:Te=2:2:5 at%