慢走絲加工表面粗糙度增加有哪些因素？

慢走絲加工表面粗糙度增加主要有以下因素：

（1）選用的脈沖參數(shù)放電能量過大，使工件表面粗糙度增加。

（2）電極絲運(yùn)行速度太快，使工件表面粗糙度增加。

（3）電極絲張力波動(dòng)大，使工件表面粗糙度增加。

（4）去離子水工作液的電導(dǎo)率高，使工件表面粗糙度增加。

慢走絲加工的主要材料有哪些

慢走絲加工時(shí)金屬的蝕除分熔化和氣化兩種。寬脈寬作用時(shí)間長(zhǎng)，容易造成熔化加工，使工件表面形貌變差，變質(zhì)層增厚，內(nèi)應(yīng)力加大，易產(chǎn)生裂紋。而脈寬小到一定值時(shí)，作用時(shí)間極短，形成氣化加工，可以減小變質(zhì)層厚度，改善表面質(zhì)量，減小內(nèi)應(yīng)力，避免裂紋產(chǎn)生。

以上就是慢走絲加工的介紹了，希望大家看完此文，會(huì)對(duì)慢走絲加工有更深入的了解。想要了解更多中創(chuàng)欣星的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話。

慢走絲加工需要的材料

單晶硅電池的表面織構(gòu)化已經(jīng)用酸堿異'性腐蝕的方法得到解決，轉(zhuǎn)換，穩(wěn)定性好，但是成本比較高。多晶硅是單晶硅的直接原料，能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方型硅鏈，制造過程簡(jiǎn)單、省電、節(jié)約硅材料，具有更大的降低太陽(yáng)能電池生產(chǎn)成本的潛力。

由于多晶硅中的各種缺陷，如晶界、位錯(cuò)、微缺陷等，使其光電轉(zhuǎn)換效率較低，目前多晶硅電池主要制作減反射膜(SiN薄膜)和制作多孔硅降低光損失，這種方法的設(shè)備成本高。

同時(shí)國(guó)內(nèi)外嘗試了用機(jī)械刻槽工藝、反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)、蜂窩絨面結(jié)構(gòu)技術(shù)形成絨面，由于工藝復(fù)雜、工序時(shí)間長(zhǎng)、設(shè)備昂貴和成本高等不適慢走絲線切割機(jī)床加工經(jīng)驗(yàn)合工業(yè)化生產(chǎn)。以提高轉(zhuǎn)換效率和降低成本為目標(biāo)，探討和研究多晶硅電池的新型制作方法是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。

常規(guī)太陽(yáng)能硅片切割使用線鋸切割，切割損耗較大，且有宏觀切削力等缺點(diǎn)，而電火花錢切割具有能量密度高、無接觸去材、無宏觀切削力等優(yōu)點(diǎn)，漸漸成為加工硅片的一種手段，國(guó)內(nèi)外90年代末期開始對(duì)硅進(jìn)行了大量的電火花加工試驗(yàn)研究，使電火花加工硅片成為可能。