旋轉(zhuǎn)基片臺

樣品臺可放置不小于100mm樣品1片，具有連續(xù)旋轉(zhuǎn)功能，旋轉(zhuǎn)0—30轉(zhuǎn)/分連續(xù)可調(diào)。基片加熱溫度：室溫—300°C連續(xù)可調(diào)，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動控溫及數(shù)字顯示

6寸永磁靶槍

自研靶槍，磁控濺射系統(tǒng)3套， 濺射室中配安定制尺寸若干套高性能永磁共焦磁控濺射靶（濺射靶角度可調(diào)），各靶可獨立/順次/共同工作，磁控靶RF、DC、MF兼容，可以濺射磁性材料，磁控靶與基片距離可調(diào)，配備進口SMC旋轉(zhuǎn)氣動控制擋板組件；配脈沖直流電源（不小于500W）和全自動匹配射頻電源（不小于500W）；提供3塊測試靶材。鍍膜不均勻度≤±5%。

系統(tǒng)全自動

系統(tǒng)采用PLC+工控機+觸摸屏全自動控制方式，可進行自動抽氣及程序設(shè)定、計算機實時顯示記錄真空度及加熱溫度、計算機設(shè)定顯示直流電源、射頻電源功率參數(shù)、計算機設(shè)定顯示MFC的設(shè)定控制等、計算機設(shè)定顯示當班狀態(tài)、樣品轉(zhuǎn)速等。