上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC75
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上海伯東美國(guó)-KRi-考夫曼離子源-KDC75

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聯(lián)系人 葉南晶

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商品參數(shù)
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商品介紹
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品牌 KRI
新舊程度 全新
適用對(duì)象 真空鍍膜,離子蝕刻,離子清洗
產(chǎn)地 美國(guó)
型號(hào) KDC75
離子能量 范圍 100 至 1200ev
離子電流 可以超過 250 mA.
商品介紹
價(jià)格貨期電議

上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(gè)陰極燈絲, 其中一個(gè)作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
 

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)

KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

2

 - 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam?

 - 柵極

專用, 自對(duì)準(zhǔn)

 -柵極直徑

7.5 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安裝

移動(dòng)或快速法蘭

 - 高度

7.9'

 - 直徑

5.5'

 - 離子束

聚焦
平行
散設(shè)

 -加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-24”

 - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE


客戶案例: 超高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置
美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 75
考夫曼離子源 KDC 75

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T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
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聯(lián)系賣家 葉南晶 （QQ：2821409400）
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