EN-2005B功率器件綜合測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)特征

測(cè)試范圍廣（19總大類，27分類）

升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可提升電壓電流，和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A

采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定300uS

被測(cè)器件引腳接觸自動(dòng)判斷功能，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試，確保被測(cè)器件不受損壞

真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。（主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)，其結(jié)果與器件實(shí)際偏差很大）

系統(tǒng)故障在線判斷修復(fù)能力，便于應(yīng)急處理排除故障

二極管極性自動(dòng)判斷功能，無(wú)需人工操作

系統(tǒng)概述

西安易恩電氣 EN-2005B功率器件綜合測(cè)試系統(tǒng)，設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品質(zhì)范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

面板顯示裝置可及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果。前面板的小鍵盤方便了系統(tǒng)操作。通過(guò)小鍵盤，系統(tǒng)可以脫離主控計(jì)算機(jī)獨(dú)立完成多種工作。

系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。

應(yīng)用領(lǐng)域

院所、高校、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商、

電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機(jī)、白色家電、

新能源汽車、軌道機(jī)車檢修等

設(shè)備用途

測(cè)試分析、器件選型 、篩選檢驗(yàn) 、生產(chǎn)線自動(dòng)批量測(cè)試等

技術(shù)指標(biāo)

主極電壓:    10mV-2000V

主極電流：   100nA-50A

擴(kuò)展電流：   100A、500A、1000A、1300A

電壓分辨率：    1mV

電流分辨率：    1nA

測(cè)試精度：   0.2%+2LSB

測(cè)試速度：   0.5mS/參數(shù)

系統(tǒng)功耗：   <150w

質(zhì)    量：   35KG

尺    寸：   450x570x280mm

通信接口：   RS232 USB

工作溫度：   25-40°C

測(cè)試范圍

二極管DIODE，晶體管（NPN型/PNP型），J型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET，MOS場(chǎng)效應(yīng)管  MOS-FET雙向可控硅TRIAC，可控硅SCR，絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT，硅觸發(fā)可控硅STS

達(dá)林頓陣列DARLINTON，光電耦合OPTO-COUPLER，繼電器RELAY，穩(wěn)壓、齊納二極管ZENER三端穩(wěn)壓器REGULATOR，光電開(kāi)關(guān)OPTO-SWITCH，光電邏輯OPTO-LOGIC，金屬氧化物壓變電阻MOV，固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器SSOVP，壓變電阻VARISTOR，雙向觸發(fā)二極管DIAC