

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
主營產(chǎn)品: 分子束外延薄膜生長設(shè)備MBE, 物理氣相沉積(PVD), 化學(xué)氣相沉積(CVD), 熱絲CVD金剛石制備設(shè)備, 真空系列
鵬城半導(dǎo)體-生產(chǎn)型-高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)
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生產(chǎn)型 高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)(PVD-1000B系列)該設(shè)備采用磁控濺射、離子輔助、反應(yīng)濺射的工藝方法,在工件表面制備各種薄膜材料。該設(shè)備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。

可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
真空室為圓柱形、上開蓋、前開門結(jié)構(gòu);使用材料均為奧氏體不銹鋼304/321,表面電化學(xué)拋光處理,無微觀毛刺,不會藏污納垢。
磁控濺射靶為矩形,沿真空室壁的圓周排列,可調(diào)整靶面與工件的距離。
樣品架為圓筒形,樣品裝載數(shù)量大;旋轉(zhuǎn)運(yùn)動為齒輪驅(qū)動式,動力直連輸入,經(jīng)齒輪驅(qū)動樣品臺轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn),運(yùn)行平穩(wěn),無抖動;密封可靠,故障率低。
加熱系統(tǒng)采用紅外加熱器,對真空環(huán)境無污染,加熱均勻;采用具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。
電氣控制及操作系統(tǒng)工作穩(wěn)定可靠,操作界面清晰大方,便于操作。
系統(tǒng)安全保護(hù)設(shè)置齊全,設(shè)備啟動后可實(shí)行無人運(yùn)行。
設(shè)備重點(diǎn)性能參數(shù)
極限真空度 | 8X10-5Pa |
工作背景真空度 | 8X10-4Pa |
工作背景真空到達(dá)時間 | <40min(空氣濕度低于45%;開門時間<30min條件下從大氣抽到工作真空度時間) |
樣品加熱溫度 | 室溫~300℃ |
樣品架公轉(zhuǎn)速度 | 3~10r/min連續(xù)可調(diào) |
片內(nèi)膜層均勻性 | <5% |
片間膜層均勻性 | <5% |
磁控靶數(shù)量 | 3靶(可根據(jù)用戶工藝擴(kuò)展靶位) |
真空清洗離子靶 | 1靶 |

