鵬城半導體 生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機
鵬城半導體 生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機
鵬城半導體 生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機
鵬城半導體 生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機

鵬城半導體-生產(chǎn)型-高真空磁控濺射-離子輔助-多弧復(fù)合鍍膜機

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商品參數(shù)
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商品介紹
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極限真空度 7X10-5Pa
工作背景真空度 8X10-4Pa
工作背景真空到達時間 <30min(空氣濕度低于45%;開門時間<30min條件下從大氣抽到工作真空度時間)
保壓 關(guān)機12小時保壓<10Pa
濺射室外形尺寸 直徑 875mm X 高度 1000mm
商品介紹

生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機( PVD-1000S系列 )該設(shè)備廣泛應(yīng)用于銑刀、鉆頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質(zhì)耐磨涂層制備,集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。

可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)

設(shè)備由PVD鍍膜室、集成封閉機柜、分子泵+旋片泵真空機組、真空測量系統(tǒng)、工藝氣路系統(tǒng)、磁控濺射靶、直線型離子源、工件架、靶擋板、工件旋轉(zhuǎn)機構(gòu)、脈沖直流電源、高能量脈沖電源、中頻電源、射頻電源、偏壓電源、離子輔助鍍膜電源及控制系統(tǒng)、檢測及報警保護系統(tǒng)、水冷管路系統(tǒng)、循環(huán)制冷恒溫水箱、計算機+PLC 兩級控制系統(tǒng)組成。           

- 整機外形尺寸:2500mm X 2500mm X 2000mm。也可根據(jù)用戶產(chǎn)能規(guī)模定制尺寸。

- 磁控濺射靶為矩形,靶面尺寸80mm X 300mm,沿真空室壁的圓周排列,可以隨時在線調(diào)整靶面與樣片的距離,靶頭伸縮距離150mm。也可根據(jù)工件尺寸調(diào)整靶面尺寸。

- 直線型離子源沿真空室壁的圓周排列,數(shù)量兩組,工作氣壓0.1-0.3Pa,能量200-5000eV可調(diào),束流強度0.2-1A。

- 工件架為圓筒形結(jié)構(gòu)行星式分布,工件沿圓周排列,每個工位工件既自轉(zhuǎn)又公轉(zhuǎn)。樣品裝載數(shù)量大;旋轉(zhuǎn)運動運行平穩(wěn),無抖動;密封可靠。

- 工件可加偏壓。

- 加熱系統(tǒng)采用紅外加熱器,對真空環(huán)境無污染,加熱均勻;具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。工件最高可加熱至500攝氏度。

設(shè)備重點性能參數(shù)

極限真空度

7X10-5Pa

工作背景真空度8X10-4Pa
工作背景真空到達時間<30min(空氣濕度低于45%;開門時間<30min條件下從大氣抽到工作真空度時間)
保壓關(guān)機12小時保壓<10Pa
濺射室外形尺寸直徑 875mm X 高度 1000mm
整機尺寸長 2500mm X 寬 2500mm X 高 2000mm
樣品加熱溫度室溫~500℃
樣品架公轉(zhuǎn)速度0;3~12r/min連續(xù)可調(diào)
片內(nèi)膜層均勻性<5%
片間膜層均勻性<5%
磁控靶數(shù)量4靶(可根據(jù)用戶工藝擴展靶位)
直線型離子源2靶
磁控靶規(guī)格80mm X 300mm
靶材規(guī)格80mm X 100mm X 8mm 
聯(lián)系方式
公司名稱 鵬城半導體技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系賣家 戴小姐 (QQ:84128519)
手機 䀋䀐䀌䀐䀑䀓䀔䀍䀍䀋䀓
網(wǎng)址 http://www.hitsemi.com
地址 廣東省深圳市
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